Liknande avbildning
Liknande avbildning
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-363
Utförande
NPN
PNP
Kollektorström I (C)
100 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
Datablad (PDF)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
750
-
0,58 kr
2250
9% = 0,05 kr
0,53 kr
3750
12% = 0,07 kr
0,51 kr
7500
14% = 0,08 kr
0,50 kr
15000
17% = 0,10 kr
0,48 kr
30000
21% = 0,12 kr
0,46 kr
75000
24% = 0,14 kr
0,44 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 750
Toal (0,58 kr / stycken)
435,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
BJT, SOT-363, 45V, 100 MA, NPN+PNP
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ SMDKapsling SOT-363Kollektor spänning - VCEO: 45 V.DC Kollektorström - IC 100 mAPolaritet - pol: NPN+PNPSkikt temperatur - Tjmax 150 °C.Effektförlust - ptot 0.200 W.Kollektor bas strömförhållande - hfe: 300VCE, 1 V.IC 10 mAKollektor mättnadsspänning - VCEsat: 300 mVIC 50 mAIB: 5 mAÖvergångsfrekvens - ft: 300 MHzIC 10 mAVCE, 20 V.f: 100 MHz
- Typ
BC847PN
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-363
- tillverkargaranti
Diotec
- Utförande
NPN
PNP
- Kollektorström I (C)
100 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
- VCE mättnad (max.)
300 mV
- Prestanda (max) P(TOT)
0.2 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
300
- Övergångsfrekvens f(T)
100 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- RoHS-godkänd
Ja
- Innehåll
1 st
- Driftstemperatur (max.)
150 °C
- UKCA
Ja
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 2809236 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 2809236 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847PN SOT-363 NPN, PNP