Liknande avbildning
Liknande avbildning
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BR13 SOT-23 NPN
EAN:
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-23
Utförande
NPN
Kollektorström I (C)
100 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
Datablad (PDF)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
1500
-
0,22 kr
4500
9% = 0,02 kr
0,20 kr
7500
14% = 0,03 kr
0,19 kr
15000
18% = 0,04 kr
0,18 kr
30000
23% = 0,05 kr
0,17 kr
60000
27% = 0,06 kr
0,16 kr
150000
32% = 0,07 kr
0,15 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 1500
Toal (0,22 kr / stycken)
330,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
Transistor (BJT) - diskret
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ SMDKapsling SOT-23Kollektor spänning - VCEO: 45 V.DC Kollektorström - IC 100 mAPolaritet - pol: NPNSkikt temperatur - Tjmax 150 °C.Effektförlust - ptot 0.250 W.Kollektor bas strömförhållande - hfe: 290VCE, 5 V.IC 2 mAKollektor mättnadsspänning - VCEsat: 600 mVIC 100 mAIB: 5 mAÖvergångsfrekvens - ft: 300 MHzIC 10 mAVCE, 5 V.f: 100 MHz
- Typ
BC847BR13
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-23
- tillverkargaranti
Diotec
- Utförande
NPN
- Kollektorström I (C)
100 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
45 V
- VCE mättnad (max.)
600 mV
- Prestanda (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
290
- Övergångsfrekvens f(T)
100 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- RoHS-godkänd
Ja
- Innehåll
1 st
- Driftstemperatur (max.)
150 °C
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 2809229 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BR13 SOT-23 NPN
Bruks- och säkerhetsanvisning
Bruks- och säkerhetsanvisning 2809229 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC847BR13 SOT-23 NPN