Liknande avbildning
Liknande avbildning
Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846PN-AQ SOT-363 NPN, PNP
Fabrikatsnr.
Artikelnr.:
Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
Kapsling
SOT-363
Utförande
NPN
PNP
Kollektorström I (C)
100 mA
Kollektor-emitterspänning U(CEO)
65 V
Datablad (PDF)
Antal (Styck)
Du sparar
förpackningspris (exkl. moms)
500
-
0,77 kr
1500
9% = 0,07 kr
0,70 kr
2500
13% = 0,10 kr
0,67 kr
5000
16% = 0,12 kr
0,65 kr
10000
18% = 0,14 kr
0,63 kr
20000
21% = 0,16 kr
0,61 kr
50000
25% = 0,19 kr
0,58 kr
Mängdrabatter varierar beroende på säljaren
Du sparar 0,00 kr
Antal
Minsta beställningsvolym:: 500
Toal (0,77 kr / stycken)
385,00 kr
exkl. moms
30 dagars öppet köp
Höjdpunkter & detaljer
BJT, SOT-363, 65V, 100 MA, NPN+PNP
Viktig information!
Tekniska specifikationer
- Typ SMDKapsling SOT-363Kollektor spänning - VCEO: 65 V.DC Kollektorström - IC 100 mAPolaritet - pol: NPN+PNPSkikt temperatur - Tjmax 150 °C.Effektförlust - ptot 0.250 W.Kollektor bas strömförhållande - hfe: 280VCE, 5 V.IC 2 mAKollektor mättnadsspänning - VCEsat: 650 mVIC 100 mAIB: 5 mAÖvergångsfrekvens - ft: 100 MHzIC 5 mAVCE, 10 V.f: 10 MHz
- Typ
BC846PN-AQ
- Typ av produkt
Transistor (BJT) - diskret
- Kapsling
SOT-363
- tillverkargaranti
Diotec
- Utförande
NPN
PNP
- Kollektorström I (C)
100 mA
- Kollektor-emitterspänning U(CEO)
65 V
- VCE mättnad (max.)
650 mV
- Prestanda (max) P(TOT)
0.25 W
- DC Strömförstärkning (hFE)
280
- Övergångsfrekvens f(T)
10 MHz
- Monteringssätt
Ytmontering
- RoHS-godkänd
Ja
- Innehåll
1 st
- Driftstemperatur (max.)
150 °C
Dokument & nedladdningar
Datablad
Datablad 2809220 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC846PN-AQ SOT-363 NPN, PNP