Adafruit 1895 N/A Evaluation Board 1 st

Observera, denna text är maskinöversatt.

En ferroelektrisk random access memory (FRAM) är dynamic random access memory är mycket likt, endast med ett ferroelektriskt skikt i stället för ett dielektriskt. I²C FRAM breakout ombord på är idealisk för låg effekt applikationer eller applikationer med instabil strömförsörjning att logga data och databuffert. Speciellt denna FRAM chip har 32 KB minne och I²C-gränssnitt med en klockfrekvens på upp till 1 MHz. Som med SRAM, kan varje byte läsas och skrivas direkt 10 biljoner gånger, men håller minnet 95 år vid rumstemperatur. Detta chip kan drivas med 3 V eller 5 V matningsspänningen och logisk spänning. Minnet är bakbord vänlig utformad med en 2,54 mm rutnät för lödning en stiftlist.